用离子注入在GaAs中形成高浓度超薄有源层
文献类型：期刊论文
| 作者 | 颜本达 ; 史常忻 ; 忻尚衡 ; 周文英 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1988 |
| 期号 | 03 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 高浓度浅结是高速砷化镓MESFET的重要技术.我们采用透过氮化硅薄膜进行Si离子注入的方法研制了载流子浓度大于10~(15)cm~(-3)的薄形有源层(<1000A).试验结果表明,氮化硅膜的厚度基本等于载流子浓度峰值位置向衬底表面移动的距离;高剂量(>10~(15)cm~(-2)),低能量,(<80keV)和较厚的氮化硅可以制得符合要求的薄形有源层. |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105360]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 颜本达,史常忻,忻尚衡,等. 用离子注入在GaAs中形成高浓度超薄有源层[J]. 半导体学报,1988(03). |
| APA | 颜本达,史常忻,忻尚衡,&周文英.(1988).用离子注入在GaAs中形成高浓度超薄有源层.半导体学报(03). |
| MLA | 颜本达,et al."用离子注入在GaAs中形成高浓度超薄有源层".半导体学报 .03(1988). |
入库方式： OAI收割
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