用脉冲激光束在N型GaAs上制备欧姆接触
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吴恒显 ; 柳襄怀 ; 林成鲁 ; 吴鼎芬 ; 陈朝荣 ; 陈芬扣 ; 邬慧娟 |
| 刊名 | 电子学报
 |
| 出版日期 | 1981 |
| 期号 | 02 |
| ISSN号 | 0372-2112 |
| 中文摘要 | 本文用调Q红宝石脉冲激光器(波长6943A、脉宽30ns)以1.1～2.9J/cm~2的激光能量密度,在N型GaAs上进行激光合金化研究,试验了不同GaAs外延层浓度、不同合金层组分、不同激光脉冲次数对欧姆接触电阻率的影响。结果表明,适当能量密度激光合金化所得到的接触电阻率同加热合金化最好结果相当或更好,激光合金化表面均匀,质量好,而且不影响半导体器件内结的特性。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105362]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴恒显,柳襄怀,林成鲁,等. 用脉冲激光束在N型GaAs上制备欧姆接触[J]. 电子学报,1981(02). |
| APA | 吴恒显.,柳襄怀.,林成鲁.,吴鼎芬.,陈朝荣.,...&邬慧娟.(1981).用脉冲激光束在N型GaAs上制备欧姆接触.电子学报(02). |
| MLA | 吴恒显,et al."用脉冲激光束在N型GaAs上制备欧姆接触".电子学报 .02(1981). |
入库方式： OAI收割
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