用物理化学方法鉴别砷化镓中最主要深能级EL2的本性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 邹元爔 ; 汪光裕 ; 莫培根 |
| 刊名 | 物理学进展
 |
| 出版日期 | 1988 |
| 期号 | 04 |
| ISSN号 | 1000-0542 |
| 中文摘要 | 本文应用半导体物理化学方法(借助某些物理测试手段)研究GaAs材料中最主要深施主能级EL2映陷的形成及其转化的一些规律。首先归纳了鉴别EL2本性的三个重要依据(化学计量比、与位错关系和低温光猝灭行为),然后着重阐述三元络合物A_(SGa)V_(As)V_(Ga)作为EL2缺陷构型的形成反应、应变模型形成机理和亚稳态机理,并利用该模型来解释EL2的主要物理和化学性质,对文献报道的EL2其它可能构型如As_(Ga)、As_(Ga)Asi、As_(Ga)V_(As)、As_(Ga)V_(Ga)、(Asi)_4、 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105396]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邹元爔,汪光裕,莫培根. 用物理化学方法鉴别砷化镓中最主要深能级EL2的本性[J]. 物理学进展,1988(04). |
| APA | 邹元爔,汪光裕,&莫培根.(1988).用物理化学方法鉴别砷化镓中最主要深能级EL2的本性.物理学进展(04). |
| MLA | 邹元爔,et al."用物理化学方法鉴别砷化镓中最主要深能级EL2的本性".物理学进展 .04(1988). |
入库方式： OAI收割
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