用于n-p-nHBT的AlGaAs/GaAs多层MBE材料
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王建新 ; 郑燕兰 ; 邱建毕 ; 李存才 ; 陈自姚 ; 朱福英 ; 谭文玲 ; 李爱珍 |
| 刊名 | 半导体情报
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| 出版日期 | 1991 |
| 期号 | 06 |
| 关键词 | K1 分子束外延 三元化合物半导体 砷化镓 异质结双极晶体管 |
| ISSN号 | 1671-4776 |
| 其他题名 | T1 用于n-p-nHBT的AlGaAs/GaAs多层MBE材料 |
| 中文摘要 | 本文报道了用MBE技术生长的n-p-n HBT用的优质AlGaAs/GaAs单层及多层结构。掺Sin型GaAs掺杂浓度为1.8×10~(14)～1.2×10~(19)cm~(-3),纯度GaAs77K下,n=1.8×10~(14)cm~(-3),μ_(77)=8.47×10~4cm/V.s。深入研究了Be反扩散所引起的E-B结和B-C结偏位的抑制。并给出了用该材料研制出的HBT单管(β=50,f_T=7.5GHz,在2GHz下,G=13dB)和NTL及CML倒相器逻辑单元电路(其中NTL在电流电压2V下, |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105407]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王建新,郑燕兰,邱建毕,等. 用于n-p-nHBT的AlGaAs/GaAs多层MBE材料[J]. 半导体情报,1991(06). |
| APA | 王建新.,郑燕兰.,邱建毕.,李存才.,陈自姚.,...&李爱珍.(1991).用于n-p-nHBT的AlGaAs/GaAs多层MBE材料.半导体情报(06). |
| MLA | 王建新,et al."用于n-p-nHBT的AlGaAs/GaAs多层MBE材料".半导体情报 .06(1991). |
入库方式： OAI收割
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