用于硅烷掺杂薄层外延的不锈钢装置及其应用
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈庆贵 ; 宋志庆 ; 史日华 ; 蔡希介 |
| 刊名 | 半导体技术
 |
| 出版日期 | 1984 |
| 期号 | 05 |
| ISSN号 | 1003-353X |
| 中文摘要 | 设计制造了硅烷掺杂薄层外延的不锈钢装置.它具有氢气纯度高、密封性好、流量调节范围大等优点,并能进行N型掺杂或P型掺杂的外延膜生长.实验表明,既适用于同质薄层外延,也适合于异质薄层外延. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105414]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈庆贵,宋志庆,史日华,等. 用于硅烷掺杂薄层外延的不锈钢装置及其应用[J]. 半导体技术,1984(05). |
| APA | 陈庆贵,宋志庆,史日华,&蔡希介.(1984).用于硅烷掺杂薄层外延的不锈钢装置及其应用.半导体技术(05). |
| MLA | 陈庆贵,et al."用于硅烷掺杂薄层外延的不锈钢装置及其应用".半导体技术 .05(1984). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。