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由过量Pb引起的PLT铁电薄膜钉扎现象

文献类型:期刊论文

作者宋志棠 ; 任巍 ; 张良莹 ; 姚熹
刊名材料研究学报
出版日期1998
期号06
关键词K1 铁电薄膜 钉扎现象 电滞回线 C-V曲线
ISSN号1005-3093
其他题名T1 由过量Pb引起的PLT铁电薄膜钉扎现象
中文摘要采用金属有机热分解法制备了Pb过量的PLT铁电薄膜电子探针和Auger电子能谱分析证实了在薄膜中及薄膜与底电极界面上存在过量Pb引起成份偏析,导致缺陷能级上的陷阱电荷。在退极化场的作用下,陷阱电荷可聚集在畴壁钉扎电畴,造成电滞回线和C—V曲线异常
语种中文
公开日期2012-03-29
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105443]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所)
推荐引用方式
GB/T 7714
宋志棠,任巍,张良莹,等. 由过量Pb引起的PLT铁电薄膜钉扎现象[J]. 材料研究学报,1998(06).
APA 宋志棠,任巍,张良莹,&姚熹.(1998).由过量Pb引起的PLT铁电薄膜钉扎现象.材料研究学报(06).
MLA 宋志棠,et al."由过量Pb引起的PLT铁电薄膜钉扎现象".材料研究学报 .06(1998).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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