有源层受主浓度对InGaAsP/InP双异质结发光管特性的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张桂成 ; 邵永富 ; 龚连根 |
| 刊名 | 发光与显示
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| 出版日期 | 1984 |
| 期号 | 04 |
| ISSN号 | 1000-7032 |
| 中文摘要 | 本文研究了有源层受主浓度(P_a)对InGaAsP/InP双异质发光管特性的影响。有源层受主浓度P_a≈2×10~(17)～1×10~(18)cm~(-3)的器件,具有较大的光输出功率P(?)1mW;截止频率f(?)为30～80MHz,并且有正常的Ⅰ-Ⅴ特性。有源层浓度高于上述浓度的器件,光输出功率降低,并且具有异常的Ⅰ-Ⅴ特性。在器件光谱半宽△λ=(λ~2/1.24)nkT关系式中,n值是有源层受主浓度(P_a)的函数。上述结果表明:有源层受主浓度(P_a)是影响器件特性的重要因素之一。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105451]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张桂成,邵永富,龚连根. 有源层受主浓度对InGaAsP/InP双异质结发光管特性的影响[J]. 发光与显示,1984(04). |
| APA | 张桂成,邵永富,&龚连根.(1984).有源层受主浓度对InGaAsP/InP双异质结发光管特性的影响.发光与显示(04). |
| MLA | 张桂成,et al."有源层受主浓度对InGaAsP/InP双异质结发光管特性的影响".发光与显示 .04(1984). |
入库方式： OAI收割
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