有源区掺杂浓度对GaAs/GaAlAsDH-ELED器件性能的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吴陈周 ; 潘慧珍 ; 逄永秀 |
| 刊名 | 发光学报
 |
| 出版日期 | 1987 |
| 期号 | 04 |
| ISSN号 | 1000-7032 |
| 中文摘要 | 本文阐明了影响GaAs/GaAlAs双异质结边发光管特性的因素,其中着重讨论了有源区的掺杂浓度和掺杂类型对DH-ELED光功率和调制能力的影响。结果表明:掺Si或轻掺Ge的LEDs具有较高的功率和慢的响应,这些LED只可用于低码速和较高功率的系统。有源区重掺Ge导致器件的响应快和功率较低,这种LED可用于高速系统。通过最佳掺杂,可获得高速和大功率的DH-ELED。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105452]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴陈周,潘慧珍,逄永秀. 有源区掺杂浓度对GaAs/GaAlAsDH-ELED器件性能的影响[J]. 发光学报,1987(04). |
| APA | 吴陈周,潘慧珍,&逄永秀.(1987).有源区掺杂浓度对GaAs/GaAlAsDH-ELED器件性能的影响.发光学报(04). |
| MLA | 吴陈周,et al."有源区掺杂浓度对GaAs/GaAlAsDH-ELED器件性能的影响".发光学报 .04(1987). |
入库方式： OAI收割
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