在Si(111)上脉冲ArF准分子激光淀积晶态定向α-SiC薄膜
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王玉霞 ; 温军 ; 郭震 ; 汤洪高 ; 黄继颇 ; 王连卫 ; 林成鲁 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2000 |
| 期号 | 06 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 报道用脉冲 Ar F激光烧蚀 Si C陶瓷靶 ,在 80 0℃ Si( 1 1 1 )衬底上淀积 Si C薄膜 ,再经92 0℃真空 ( 1 0 - 3Pa)退火处理 ,制备出晶态α- Si C薄膜 .用 FTIR、XPS、SEM、XRD、TEM、PL谱等分析方法 ,研究了薄膜的表面形态、晶体结构、微结构、组成、化学态和光致发光等 .结果表明 ,在 92 0℃较低温度下 ,Si C薄膜经非晶核化 -长大过程 ,生成了晶态α- Si C( 0 0 0 1 )∥ Si( 1 1 1 )高度定向外延膜 ,薄膜内 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105483]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王玉霞,温军,郭震,等. 在Si(111)上脉冲ArF准分子激光淀积晶态定向α-SiC薄膜[J]. 半导体学报,2000(06). |
| APA | 王玉霞.,温军.,郭震.,汤洪高.,黄继颇.,...&林成鲁.(2000).在Si(111)上脉冲ArF准分子激光淀积晶态定向α-SiC薄膜.半导体学报(06). |
| MLA | 王玉霞,et al."在Si(111)上脉冲ArF准分子激光淀积晶态定向α-SiC薄膜".半导体学报 .06(2000). |
入库方式： OAI收割
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