锗纳米镶嵌薄膜的电致发光及其机制
文献类型：期刊论文
| 作者 | 董业民 ; 叶春暖 ; 汤乃云 ; 陈静 ; 吴雪梅 ; 诸葛兰剑 ; 王曦 ; 姚伟国 |
| 刊名 | 功能材料
 |
| 出版日期 | 2001 |
| 期号 | 06 |
| ISSN号 | 1001-9731 |
| 中文摘要 | 采用射频磁控溅射技术 ,在Ge纳米镶嵌薄膜的基础上制备出电致发光器件。器件的结构为半透明Au膜 /Ge纳米镶嵌薄膜 /p Si基片。当正向偏压大于 6V时 ,用肉眼可以观察到可见的电致发光 ,但在反向偏压下探测不到光发射。所测电致发光谱中只有一个发光峰 ,峰位在 5 10nm ( 2 .4eV ,绿光 ) ,并且随着正向偏压的升高 ,峰位不发生移动 ;对于不同温度退火的样品 ,峰位也保持不变。根据分析结果讨论了可能的电致发光机制 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105496]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 董业民,叶春暖,汤乃云,等. 锗纳米镶嵌薄膜的电致发光及其机制[J]. 功能材料,2001(06). |
| APA | 董业民.,叶春暖.,汤乃云.,陈静.,吴雪梅.,...&姚伟国.(2001).锗纳米镶嵌薄膜的电致发光及其机制.功能材料(06). |
| MLA | 董业民,et al."锗纳米镶嵌薄膜的电致发光及其机制".功能材料 .06(2001). |
入库方式： OAI收割
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