中红外GaInAsSb PIN多结光伏探测器设计与数值模拟
文献类型：期刊论文
| 作者 | 梁帮立 ; 夏冠群 ; 周咏东 ; 范叔平 |
| 刊名 | 固体电子学研究与进展
 |
| 出版日期 | 2002 |
| 期号 | 01 |
| ISSN号 | 1000-3819 |
| 中文摘要 | 从非平衡载流子的扩散 -复合理论出发 ,提出 PIN多结探测器材料结构 ,并建立了理论模型进行定量计算 ,从理论上解决了不能同时兼顾增大量子效率与光电增益和降低噪声的矛盾。利用该模型对 Ga In As Sb材料体系作了数值模拟 ,单结器件性能的计算值和实测值基本吻合 ,并根据多结器件模拟结果设计了工作于2 .4μm波段的 Ga In As Sb PIN多结材料结构 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105517]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 梁帮立,夏冠群,周咏东,等. 中红外GaInAsSb PIN多结光伏探测器设计与数值模拟[J]. 固体电子学研究与进展,2002(01). |
| APA | 梁帮立,夏冠群,周咏东,&范叔平.(2002).中红外GaInAsSb PIN多结光伏探测器设计与数值模拟.固体电子学研究与进展(01). |
| MLA | 梁帮立,et al."中红外GaInAsSb PIN多结光伏探测器设计与数值模拟".固体电子学研究与进展 .01(2002). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。