中子辐照硅单晶中一组新的红外吸收峰
文献类型：期刊论文
| 作者 | 祁明维 ; 施天生 ; 白国仁 ; 谢雷鸣 ; 蔡培新 ; 高集金 ; 李石岭 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1986 |
| 期号 | 03 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | N型中子辐照区熔硅单晶中,在与双空位(V_2~-)有关的2770cm~(-1)吸收峰的低频侧发现一组文献中从未报道过的新的吸收峰.对这组吸收峰的性质及其退火行为进行了研究. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105525]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 祁明维,施天生,白国仁,等. 中子辐照硅单晶中一组新的红外吸收峰[J]. 半导体学报,1986(03). |
| APA | 祁明维.,施天生.,白国仁.,谢雷鸣.,蔡培新.,...&李石岭.(1986).中子辐照硅单晶中一组新的红外吸收峰.半导体学报(03). |
| MLA | 祁明维,et al."中子辐照硅单晶中一组新的红外吸收峰".半导体学报 .03(1986). |
入库方式： OAI收割
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