中子辐照含氢硅单晶低温Si—H吸收峰的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 祁明维 ; 施天生 ; 蔡培新 ; 白国仁 ; 谢雷呜 ; 高集金 ; 李石岭 |
| 刊名 | 红外研究(A辑)
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| 出版日期 | 1987 |
| 期号 | 05 |
| ISSN号 | 1001-9014 |
| 中文摘要 | 本文用傅里叶变换红外吸收低温(10K)光谱研究中子辐照氢气区熔硅单晶的Si-H吸收峰。发现比室温光谱有更多的与氢有关的吸收峰,观察到1980cm~(-1)吸收峰的精细结构。确定1839cm~(-1)与817cm~(-1)吸收峰的相关性,观察到低温峰有比室温更明确的退火行为。对一些吸收峰的组态进行了讨论。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105526]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 祁明维,施天生,蔡培新,等. 中子辐照含氢硅单晶低温Si—H吸收峰的研究[J]. 红外研究(A辑),1987(05). |
| APA | 祁明维.,施天生.,蔡培新.,白国仁.,谢雷呜.,...&李石岭.(1987).中子辐照含氢硅单晶低温Si—H吸收峰的研究.红外研究(A辑)(05). |
| MLA | 祁明维,et al."中子辐照含氢硅单晶低温Si—H吸收峰的研究".红外研究(A辑) .05(1987). |
入库方式： OAI收割
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