中子活化法测定硅中注磷剖面分布
文献类型：期刊论文
| 作者 | 孙福桃 ; 曹如晟 ; 顾琦珍 |
| 刊名 | 核技术
 |
| 出版日期 | 1982 |
| 期号 | 04 |
| ISSN号 | 0253-3219 |
| 中文摘要 | <正> 本文对不同注磷能量和不同剂量(5×10~(14)～1×10~(16)/cm~2)的硅片进行了中子活化分析,测定硅中磷的剖面分布、注入剂量及其射程,方法测量下限为4×10~(10)g。 1.实验部分 1).试样辐照和退火 注磷硅片经酒精清洗后包于铝箔中。硅片与磷标准置于中子通量为7×10~~(13)n/cm~2·s的反应堆中辐照50小时,冷却14天。经过堆中子辐照后的注磷硅片置于管形炉中,在700°～900°e |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105527]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙福桃,曹如晟,顾琦珍. 中子活化法测定硅中注磷剖面分布[J]. 核技术,1982(04). |
| APA | 孙福桃,曹如晟,&顾琦珍.(1982).中子活化法测定硅中注磷剖面分布.核技术(04). |
| MLA | 孙福桃,et al."中子活化法测定硅中注磷剖面分布".核技术 .04(1982). |
入库方式： OAI收割
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