重掺 n 型砷化镓杂质效应
文献类型：期刊论文
| 作者 | 方敦辅 ; 徐涌泉 ; 杨金华 ; 谭礼同 ; 史日华 |
| 刊名 | 上海冶金
 |
| 出版日期 | 1980 |
| 期号 | 02 |
| ISSN号 | 1001-7208 |
| 中文摘要 | 砷化镓单晶衬底材料的完整性,是衡量晶体质量的重要参数之一,这对光电器件更有其特殊意义。一般用 LEC 法制备低位错 GaAs 单晶,要使用 Dash 技术和理想的热场,而且成品率较低。利用杂质效应则可在 LEC 法生长掺杂 n 型衬底材料时,较为简便地得到低位错乃至无位错 GaAs 单晶,成品率也有较大提高。在 n 型 GaAs 体单晶中所用的掺杂元素 S、Se、Te,当其浓度超过1×10~(18)/cm~3时,位错密度即开始下降,浓度达3×10~(18)/cm~3时,下降速度加快,当浓度达5×10~(1 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105528]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 方敦辅,徐涌泉,杨金华,等. 重掺 n 型砷化镓杂质效应[J]. 上海冶金,1980(02). |
| APA | 方敦辅,徐涌泉,杨金华,谭礼同,&史日华.(1980).重掺 n 型砷化镓杂质效应.上海冶金(02). |
| MLA | 方敦辅,et al."重掺 n 型砷化镓杂质效应".上海冶金 .02(1980). |
入库方式： OAI收割
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