重掺砷衬底氧本征吸杂能力的探讨
文献类型：期刊论文
| 作者 | 谭淞生 ; 朱德光 ; 王自筠 |
| 刊名 | 应用科学学报
 |
| 出版日期 | 1989 |
| 期号 | 02 |
| ISSN号 | 0255-8297 |
| 中文摘要 | <正>虽则集成电路级单晶衬底的氧本征吸杂工艺已作过广泛的探讨,重掺衬底的氧本征吸杂研究还仅是近年来才开始的.与体材料相比,采用P/P~+和n/n~+外延材料加工MOS电路有很多优点.自从得克萨斯仪器公司在81年首先成功地在工业上采用硅外延片加工64k RAM以来,MOS电路的衬底已开始从体单晶向外延片的过渡.同时,也激发了研究重掺衬底氧本征吸杂(IG)工艺的兴趣.本实验室通过对重掺砷衬底氧本征吸杂工艺的摸索,体内缺陷的观察,外延层上MOS C-t寿命以及二极管反向特性曲线的测定,以探讨高掺杂情况下,衬底硅 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105529]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谭淞生,朱德光,王自筠. 重掺砷衬底氧本征吸杂能力的探讨[J]. 应用科学学报,1989(02). |
| APA | 谭淞生,朱德光,&王自筠.(1989).重掺砷衬底氧本征吸杂能力的探讨.应用科学学报(02). |
| MLA | 谭淞生,et al."重掺砷衬底氧本征吸杂能力的探讨".应用科学学报 .02(1989). |
入库方式： OAI收割
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