注S-SI GaAs晶体中的缺陷
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王绍渤 ; 吴瑞娣 ; 夏冠群 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1989 |
| 期号 | 05 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 对注S-SI GaAs单晶作光致发光测试,确定了两个缺陷能级.1.239eV峰可能是镓空位(V_(Ga))与S的络合物;1.408eV峰是由注S引起SI-GaAs衬底中残留杂质Si发生迁移,增加了Si受主(Si_(As))密度,部份Si_(As)与砷空位(V_(As))相互作用形成V_(As)-Si_(As)络合物而产生的. |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105534]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王绍渤,吴瑞娣,夏冠群. 注S-SI GaAs晶体中的缺陷[J]. 半导体学报,1989(05). |
| APA | 王绍渤,吴瑞娣,&夏冠群.(1989).注S-SI GaAs晶体中的缺陷.半导体学报(05). |
| MLA | 王绍渤,et al."注S-SI GaAs晶体中的缺陷".半导体学报 .05(1989). |
入库方式： OAI收割
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