紫外光擦除信息的EPROM存储单元的工作与特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 须国宗 ; 杨传仁 |
| 刊名 | 电子学通讯
 |
| 出版日期 | 1980 |
| 期号 | 03 |
| ISSN号 | 1009-5896 |
| 中文摘要 | 具有可改写的不挥发特性的半导体存储单元是构成EPROM的关键。本文详细描述了两种已经在EPROM中实用的存储单元的结构与写入特性,并讨论了影响其写入特性的一些因素,为设计一个大规模集成的紫外光擦除型EPROM提供了实验结果。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105547]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 须国宗,杨传仁. 紫外光擦除信息的EPROM存储单元的工作与特性[J]. 电子学通讯,1980(03). |
| APA | 须国宗,&杨传仁.(1980).紫外光擦除信息的EPROM存储单元的工作与特性.电子学通讯(03). |
| MLA | 须国宗,et al."紫外光擦除信息的EPROM存储单元的工作与特性".电子学通讯 .03(1980). |
入库方式： OAI收割
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