自对准外延CoSi_2源漏接触CMOS器件技术
文献类型：期刊论文
| 作者 | 邵凯 ; 李炳宗 ; 邹斯洵 ; 黄维宁 ; 吴卫军 ; 房华 ; 於伟峰 ; 姜国宝 ; 俞波 ; 张敏 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1996 |
| 期号 | 04 |
| ISSN号 | 02534177 |
| 中文摘要 | ＣＯ／Ｔｉ／Ｓｉ或ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ多层薄膜结构通过多步退火技术在Ｓｉ单晶衬底上外延生长ＣｏＳｉ２薄膜，ＡＥＳ、ＲＢＳ测试显示ＣｏＳｉ２薄膜具有良好均匀性和单晶性．这种硅化物新技术已用于ＣＭＯＳ器件工艺．采用等离子体增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）技术淀积氮氧化硅薄膜，并用反应离子刻蚀（ＲＩＥ）技术形成多晶硅栅边墙．固相外延ＣｏＳｉ２薄膜技术和边墙工艺相结合，经过选择腐蚀，可以分别在源漏区和栅区形成单晶ＣｏＳｉ２和多晶ＣｏＳｉ２薄膜，构成新型自对准硅化物（ＳＡＬＩＣＩＤＥ）器件结构．在Ｎ阱ＣＭＯＳ工艺 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105550]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邵凯,李炳宗,邹斯洵,等. 自对准外延CoSi_2源漏接触CMOS器件技术[J]. 半导体学报,1996(04). |
| APA | 邵凯.,李炳宗.,邹斯洵.,黄维宁.,吴卫军.,...&张敏.(1996).自对准外延CoSi_2源漏接触CMOS器件技术.半导体学报(04). |
| MLA | 邵凯,et al."自对准外延CoSi_2源漏接触CMOS器件技术".半导体学报 .04(1996). |
入库方式： OAI收割
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