自截止腐蚀制备Si平面薄膜中的B杂质分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 周斌 ; 黄耀东 ; 李忻 ; 孙骐 ; 车录锋 ; 沈军 ; 吴广明 ; 唐伟星 ; 熊斌 ; 王跃林 |
| 刊名 | 原子能科学技术
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| 出版日期 | 2002 |
| 期号 | Z1 |
| ISSN号 | 1000-6931 |
| 中文摘要 | 以重掺杂自截止腐蚀工艺制备的厚度为 3～ 4μm的自支撑Si平面薄膜已在X光激光和惯性约束聚变分解实验中得到应用。制备过程中 ,重掺杂B杂质的引入会对获得的Si平面薄膜的应用带来影响。本工作研究采用次级离子质谱 (SIMS)测量Si平面薄膜中B杂质的浓度分布 ,结合在软X光波段下同步辐射直接测得的Si薄膜的透过率结果 ,分析B等杂质对Si平面薄膜性能的影响 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105552]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周斌,黄耀东,李忻,等. 自截止腐蚀制备Si平面薄膜中的B杂质分析[J]. 原子能科学技术,2002(Z1). |
| APA | 周斌.,黄耀东.,李忻.,孙骐.,车录锋.,...&王跃林.(2002).自截止腐蚀制备Si平面薄膜中的B杂质分析.原子能科学技术(Z1). |
| MLA | 周斌,et al."自截止腐蚀制备Si平面薄膜中的B杂质分析".原子能科学技术 .Z1(2002). |
入库方式： OAI收割
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