最优化方法分析GaAs MESFET串联电阻
文献类型：期刊论文
| 作者 | 程兆年 ; 杨悦非 ; 张友渝 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 1986 |
| 期号 | 05 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 提出了由实测数据采用最优化分析技术给出 GaAs MESFET串联电阻的新方法.在数据处理中,考虑了部份沟道电阻贡献与栅电流有关.使用本方法计算程序的机助测试系统可迅速正确地给出结果. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105580]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 程兆年,杨悦非,张友渝. 最优化方法分析GaAs MESFET串联电阻[J]. 半导体学报,1986(05). |
| APA | 程兆年,杨悦非,&张友渝.(1986).最优化方法分析GaAs MESFET串联电阻.半导体学报(05). |
| MLA | 程兆年,et al."最优化方法分析GaAs MESFET串联电阻".半导体学报 .05(1986). |
入库方式： OAI收割
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