磁场在LEC法生长GaAs晶体中的应用
文献类型：期刊论文
| 作者 | 莫培根 |
| 刊名 | 稀有金属
 |
| 出版日期 | 1987 |
| 期号 | 06 |
| ISSN号 | 0258-7076 |
| 中文摘要 | 本文介绍了近年发展的在LEC法中应用磁场生长GaAs单晶的研究结果。对磁场应用的原理、设备及用于GaAs单晶生长作了较详细的论述。其中着重阐明了采用超导磁场生长半绝缘晶体的实际效果,指出施加磁场是生长均匀性和完整性良好的、符合集成电路要求的、大直径SI-GaAs晶体的有效措施之一。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105586]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 莫培根. 磁场在LEC法生长GaAs晶体中的应用[J]. 稀有金属,1987(06). |
| APA | 莫培根.(1987).磁场在LEC法生长GaAs晶体中的应用.稀有金属(06). |
| MLA | 莫培根."磁场在LEC法生长GaAs晶体中的应用".稀有金属 .06(1987). |
入库方式： OAI收割
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