大规模集成电路的金属/半导体接触技术
文献类型：期刊论文
| 作者 | 赖建文 ; 潘鸿芳 |
| 刊名 | 微电子学
 |
| 出版日期 | 1986 |
| 期号 | Z1 |
| ISSN号 | 1004-3365 |
| 中文摘要 | <正> 引言在集成电路发展的整个历程中,金属与半导体的接触(简称金/半接触)技术自始至终就是集成电路生产中一道十分关键的工序。金/半接触的成败,直接关系到集成电路的成品率和可靠性。在集成电路发展的初期,器件的纵向尺寸(如结深)和横向尺寸(如接触窗口)都比较大,因此一般采用金属铝就能十分满意地达到要求。然而,随着集成电路的飞速发展,尤其是近几年来引入了按比例缩小规则的大规模、超大规模集成电路的出现,使得对金/半接触技术的要求愈来愈高。这些要求主要表现在两方面:第一,在器件的横向尺寸方面,按比例缩小规则要求器 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105624]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赖建文,潘鸿芳. 大规模集成电路的金属/半导体接触技术[J]. 微电子学,1986(Z1). |
| APA | 赖建文,&潘鸿芳.(1986).大规模集成电路的金属/半导体接触技术.微电子学(Z1). |
| MLA | 赖建文,et al."大规模集成电路的金属/半导体接触技术".微电子学 .Z1(1986). |
入库方式： OAI收割
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