大剂量P~＋离子注入单晶硅的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 高剑侠 ; 朱德彰 ; 曹德新 ; 周祖尧 |
| 刊名 | 核技术
 |
| 出版日期 | 1994 |
| 期号 | 02 |
| 关键词 | K1 注入 退火 缺陷 |
| ISSN号 | CN 311342TL |
| 其他题名 | T1 大剂量P~＋离子注入单晶硅的研究 |
| 中文摘要 | 采用４８０ｋｅＶＰ＋离子注入单晶硅，注入剂量为１×１０１６ｃｍ－２。采用ＲＢＳ、ＴＥＭ技术测试样品，发现样品经６００℃退火后，距样品表面约２４０ｎｍ处有一条低密度缺陷带。研究表明，这一现象与Ｐ＋的剂量及退火温度有关。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105625]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高剑侠,朱德彰,曹德新,等. 大剂量P~＋离子注入单晶硅的研究[J]. 核技术,1994(02). |
| APA | 高剑侠,朱德彰,曹德新,&周祖尧.(1994).大剂量P~＋离子注入单晶硅的研究.核技术(02). |
| MLA | 高剑侠,et al."大剂量P~＋离子注入单晶硅的研究".核技术 .02(1994). |
入库方式： OAI收割
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