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大面积平坦金刚石薄膜的制备和图形化

文献类型:期刊论文

作者张志明 ; 沈荷生 ; 何贤昶 ; 万永中 ; 杨艺蓉 ; 任琮欣
刊名微细加工技术
出版日期1999
期号04
关键词K1 金刚石薄膜 平坦表面 离子束刻蚀
ISSN号1003-8213
其他题名T1 大面积平坦金刚石薄膜的制备和图形化
中文摘要采用直拉热丝CVD法沉积了面积3 英寸的金刚石薄膜。硅衬底在沉积前采用0-5 ~1μm 金刚石微粉研磨,使成核密度达1010 个/cm2 以上,同时调整沉积工艺,特别是降低沉积气压至0-5 ~1-5kPa,促进了金刚石的二次成核,使薄膜变得十分平坦,当薄膜厚度为5μm 时,表面粗糙度Ra 仅为60nm 左右。另外,以铝作为保护膜,用氧离子束刻蚀金刚石薄膜,得到宽度为3 ~5μm 的精细金刚石薄膜图形。
语种中文
公开日期2012-03-29
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105627]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所)
推荐引用方式
GB/T 7714
张志明,沈荷生,何贤昶,等. 大面积平坦金刚石薄膜的制备和图形化[J]. 微细加工技术,1999(04).
APA 张志明,沈荷生,何贤昶,万永中,杨艺蓉,&任琮欣.(1999).大面积平坦金刚石薄膜的制备和图形化.微细加工技术(04).
MLA 张志明,et al."大面积平坦金刚石薄膜的制备和图形化".微细加工技术 .04(1999).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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