大直径〈100〉InP单晶生长
文献类型：期刊论文
| 作者 | 方敦辅 ; 徐涌泉 ; 谭礼同 |
| 刊名 | 稀有金属
 |
| 出版日期 | 1989 |
| 期号 | 01 |
| ISSN号 | 0258-7076 |
| 中文摘要 | 本文报道了用高压 LEC 法生长出〈100〉、φ50～60mm、重800g 左右的 InP 单晶。并用范德堡法、二探针法及电化学 C—V 法测定了晶体电学性质和载流子浓度分布,并与〈111〉方向生长的同类型晶体进行了比较。证实〈100〉方向生长的 InP 有较好的径向均匀性。电中性元素镓的掺入具有一定的掺杂效应。但由于镓在 InP 中分配系数较高,故仅在晶体上半部有比较明显的作用,而 S、Ga 双掺达一定浓度后可以较好地降低整个晶锭的位错密度。〈100〉方向 InP,孪晶的出现大多数在生长棱上,是由棱上{ |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105631]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 方敦辅,徐涌泉,谭礼同. 大直径〈100〉InP单晶生长[J]. 稀有金属,1989(01). |
| APA | 方敦辅,徐涌泉,&谭礼同.(1989).大直径〈100〉InP单晶生长.稀有金属(01). |
| MLA | 方敦辅,et al."大直径〈100〉InP单晶生长".稀有金属 .01(1989). |
入库方式： OAI收割
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