单电源低电压InGaP/InGaAs PHEMT低噪声单片放大器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘训春 ; 陈俊 ; 王润梅 ; 王惟林 ; 李无瑕 ; 李爱珍 ; 陈建新 ; 陈意桥 ; 陈晓杰 ; 杨全魁 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
 |
| 出版日期 | 2000 |
| 期号 | 03 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 中文摘要 | 制备了增强型InGaP/InGaAsPHEMT器件结构、阈值控制以及单电源低电压低噪声单片放大器。获得了阈值电压接近0V的增强型InGaP/InGaAsPHEMT器件，并在此基础上设计制作了可在1.5～3V低电压和单电源下工作的2.5GHz低噪声单片放大器。同时对该电路性能的进一步提高进行了模拟分析。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105635]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘训春,陈俊,王润梅,等. 单电源低电压InGaP/InGaAs PHEMT低噪声单片放大器[J]. 功能材料与器件学报,2000(03). |
| APA | 刘训春.,陈俊.,王润梅.,王惟林.,李无瑕.,...&杨全魁.(2000).单电源低电压InGaP/InGaAs PHEMT低噪声单片放大器.功能材料与器件学报(03). |
| MLA | 刘训春,et al."单电源低电压InGaP/InGaAs PHEMT低噪声单片放大器".功能材料与器件学报 .03(2000). |
入库方式： OAI收割
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