单片Si-FED的结构和设计
文献类型：期刊论文
| 作者 | 范忠 ; 李琼 ; 徐静芳 ; 茅东升 |
| 刊名 | 半导体技术
 |
| 出版日期 | 2001 |
| 期号 | 05 |
| 关键词 | K1 场发射显示器 干法刻蚀 离子注入 |
| ISSN号 | 1003-353X |
| 其他题名 | T1 单片Si-FED的结构和设计 |
| 中文摘要 | 根据场发射显示器（ＦＥＤ）的工作原理和所要求的电学参数，利用常规的硅半导体工艺和微机械加工技术，设计和试制了显示面积为１０．８ｍｍ×１０．８ｍｍ的研究性器件。版图设计中采用了离子注入法形成导电网络结构和横向负反馈电阻。工艺流程采用了全干法两步刻蚀和热氧化增尖形成理想硅微尖锥的方案。硅场发射冷阴极阵列（Ｓｉ－ＦＥＣＡ）是ＦＥＤ的核心。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105639]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 范忠,李琼,徐静芳,等. 单片Si-FED的结构和设计[J]. 半导体技术,2001(05). |
| APA | 范忠,李琼,徐静芳,&茅东升.(2001).单片Si-FED的结构和设计.半导体技术(05). |
| MLA | 范忠,et al."单片Si-FED的结构和设计".半导体技术 .05(2001). |
入库方式： OAI收割
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