氮离子注入形成SOI结构的外延研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 林成鲁 ; 李金华 ; 方予韦 ; 邹世昌 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1989 |
| 期号 | 06 |
| 关键词 | K1 离子注入 退火 外延生长 SOI材料 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 其他题名 | T1 氮离子注入形成SOI结构的外延研究 |
| 中文摘要 | 用大束流(50μA/cm~2)、高剂量(1.8×10~(18)/cm~2)的190keV N~+注入Si〈100〉中,然后在SiO_2覆盖保护下于1220℃退火二小时形成SOI结构.为了增加SOI材料上层单晶Si的厚度以应用于器件制作,将退火得到的SOI样品经化学处理后作外延生长.外延后获得的SOI材料,上层单晶Si厚度为0.8-1.0μm;Si_3N_4埋层的厚度为2800A;上、下Si-Si_3N_4界面陡峭.测试分析结果表明,利用N~+注入与气相外延生长能获得质量好的SOI材料. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105654]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林成鲁,李金华,方予韦,等. 氮离子注入形成SOI结构的外延研究[J]. 半导体学报,1989(06). |
| APA | 林成鲁,李金华,方予韦,&邹世昌.(1989).氮离子注入形成SOI结构的外延研究.半导体学报(06). |
| MLA | 林成鲁,et al."氮离子注入形成SOI结构的外延研究".半导体学报 .06(1989). |
入库方式： OAI收割
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