氮氧化硅光波导的制作途径、性质及应用
文献类型：期刊论文
| 作者 | 祖继锋 ; 余宽豪 |
| 刊名 | 半导体技术
 |
| 出版日期 | 1998 |
| 期号 | 01 |
| 关键词 | K1 氮氧化硅 等离子体增强化学汽相淀积 热氮化 溅射 光波导 低压化学汽相淀积 |
| ISSN号 | 1003-353X |
| 其他题名 | T1 氮氧化硅光波导的制作途径、性质及应用 |
| 中文摘要 | 重点分析了硅基ＳｉＯＮ光波导的工艺制作途径及其有关性能。根据有关实验结果，讨论了工艺中存在的问题，最后给出了它的应用。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105656]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 祖继锋,余宽豪. 氮氧化硅光波导的制作途径、性质及应用[J]. 半导体技术,1998(01). |
| APA | 祖继锋,&余宽豪.(1998).氮氧化硅光波导的制作途径、性质及应用.半导体技术(01). |
| MLA | 祖继锋,et al."氮氧化硅光波导的制作途径、性质及应用".半导体技术 .01(1998). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。