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倒扣芯片连接底充胶分层和焊点失效

文献类型:期刊论文

作者徐步陆 ; 张群 ; 彩霞 ; 黄卫东 ; 谢晓明 ; 程兆年
刊名半导体学报
出版日期2001
期号10
ISSN号0253-4177
中文摘要在热循环疲劳加载条件下 ,使用 C- SAM高频超声显微镜测得了 B型和 D型两种倒扣芯片连接在焊点有无断裂时芯片 /底充胶界面的分层和扩展 ,得到分层裂缝扩展速率 .同时在有限元模拟中使用断裂力学方法计算得到不同情况下的裂缝顶端附近的能量释放率 .最后由实验裂缝扩展速率和有限元模拟给出的能量释放率得到可作为倒扣芯片连接可靠性设计依据的 Paris半经验方程
语种中文
公开日期2012-03-29
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105658]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所)
推荐引用方式
GB/T 7714
徐步陆,张群,彩霞,等. 倒扣芯片连接底充胶分层和焊点失效[J]. 半导体学报,2001(10).
APA 徐步陆,张群,彩霞,黄卫东,谢晓明,&程兆年.(2001).倒扣芯片连接底充胶分层和焊点失效.半导体学报(10).
MLA 徐步陆,et al."倒扣芯片连接底充胶分层和焊点失效".半导体学报 .10(2001).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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