等离子体充电效应在薄氧化硅层产生陷阱密度的确定
文献类型：期刊论文
| 作者 | 胡恒升 ; 张敏 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
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| 出版日期 | 2001 |
| 期号 | 01 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 中文摘要 | 通过比较经过和未经过等离子暴露的两种薄栅氧化硅层在恒电流条件下击穿时间 tbd的差 异，计算出在等离子体暴露过程中由充电效应导致的隧穿电流在天线比为 2000的 MOS电容栅氧 化硅层中产生的陷阱密度为 2.35× 1018cm-3，表明充电效应导致损伤的出现。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105663]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 胡恒升,张敏. 等离子体充电效应在薄氧化硅层产生陷阱密度的确定[J]. 功能材料与器件学报,2001(01). |
| APA | 胡恒升,&张敏.(2001).等离子体充电效应在薄氧化硅层产生陷阱密度的确定.功能材料与器件学报(01). |
| MLA | 胡恒升,et al."等离子体充电效应在薄氧化硅层产生陷阱密度的确定".功能材料与器件学报 .01(2001). |
入库方式： OAI收割
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