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等离子体和反应离子刻蚀硅的各向异性及均匀性实验研究

文献类型:期刊论文

作者苏毅 ; 谭淞生 ; 孙承龙 ; 陈良尧 ; 王渭源 ; 钱佑华
刊名传感技术学报
出版日期1994
期号02
ISSN号1004-1699
中文摘要在反应离子刻蚀(RIE)及等离子体刻蚀(PE)设备中,分别采用CF_4,SF_6,NF_3和C_7F_(14),腐蚀剂气体,对(100)Si进行刻蚀.研究了工艺条件对刻蚀各向异性及均匀性的影响.结果表明,RIE的各向异性与均匀性均优于PE.RIE的各向异性值A与刻蚀气体中的添加剂成份有关,添加20%Ar时A最大值为5.4;添加20%C_2F_5Cl时,A值可高达10以上.在RIE中,CF_4和NF_3,的刻蚀均匀性优于SF_6,最佳刻蚀均匀性平均值优于5%,添加剂对刻蚀均匀性没有明显的影响.而PE显示各向
语种中文
公开日期2012-03-29
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105665]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所)
推荐引用方式
GB/T 7714
苏毅,谭淞生,孙承龙,等. 等离子体和反应离子刻蚀硅的各向异性及均匀性实验研究[J]. 传感技术学报,1994(02).
APA 苏毅,谭淞生,孙承龙,陈良尧,王渭源,&钱佑华.(1994).等离子体和反应离子刻蚀硅的各向异性及均匀性实验研究.传感技术学报(02).
MLA 苏毅,et al."等离子体和反应离子刻蚀硅的各向异性及均匀性实验研究".传感技术学报 .02(1994).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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