低剂量SIMOX圆片表层硅缺陷密度
文献类型：期刊论文
| 作者 | 郑望 ; 陈猛 ; 陈静 ; 林梓鑫 ; 王曦 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2001 |
| 期号 | 07 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 用增强化学腐蚀法研究了低剂量 SIMOX- SOI材料表层硅质量与实验参数的关系 .结果表明 ,注入剂量和能量对表层硅质量有明显影响 .通过对注入剂量和能量的优化 ,表层硅线缺陷密度可低于 10 4cm- 2 .在注入能量为16 0 ke V时 ,获得低线缺陷密度对应的注入剂量为 5 .5× 10 1 7cm- 2 左右 ,当注入剂量为 4.5× 10 1 7cm- 2 ,获得低线缺陷密度对应的注入能量为 130 ke V |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105675]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑望,陈猛,陈静,等. 低剂量SIMOX圆片表层硅缺陷密度[J]. 半导体学报,2001(07). |
| APA | 郑望,陈猛,陈静,林梓鑫,&王曦.(2001).低剂量SIMOX圆片表层硅缺陷密度.半导体学报(07). |
| MLA | 郑望,et al."低剂量SIMOX圆片表层硅缺陷密度".半导体学报 .07(2001). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。