低剂量SIMOX圆片线缺陷和针孔的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 郑望 ; 陈猛 ; 陈静 ; 林梓鑫 ; 王曦 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
 |
| 出版日期 | 2001 |
| 期号 | 04 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 中文摘要 | 用Secco法、Cu-plating法分别表征了低剂量SIMOX圆片顶层硅线缺陷、埋层的针孔密度。结果显示,低剂量SIMOX圆片的顶层硅缺陷密度低,但埋层质量稍差。通过注入工艺和退火过程的进一步优化,低剂量SIMOX将是一种有前途的SOI材料制备工艺。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105676]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑望,陈猛,陈静,等. 低剂量SIMOX圆片线缺陷和针孔的研究[J]. 功能材料与器件学报,2001(04). |
| APA | 郑望,陈猛,陈静,林梓鑫,&王曦.(2001).低剂量SIMOX圆片线缺陷和针孔的研究.功能材料与器件学报(04). |
| MLA | 郑望,et al."低剂量SIMOX圆片线缺陷和针孔的研究".功能材料与器件学报 .04(2001). |
入库方式： OAI收割
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