低剂量SIMOX圆片研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈猛 ; 陈静 ; 郑望 ; 李林 ; 牟海川 ; 林梓鑫 ; 俞跃辉 ; 王曦 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2001 |
| 期号 | 08 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 用二次离子质谱、剖面透射电镜、高分辨电镜以及化学增强腐蚀法表征了低剂量 SIMOX圆片的结构特征 .结果显示 ,选择恰当的剂量能量窗口 ,低剂量 SIMOX圆片表层 Si单晶质量好、线缺陷密度低埋层厚度均匀、埋层硅岛密度低且硅 /二氧化硅界面陡峭 .这些研究表明 ,低剂量 SIMOX圆片制备是很有前途的 SOI制备工艺 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105677]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈猛,陈静,郑望,等. 低剂量SIMOX圆片研究[J]. 半导体学报,2001(08). |
| APA | 陈猛.,陈静.,郑望.,李林.,牟海川.,...&王曦.(2001).低剂量SIMOX圆片研究.半导体学报(08). |
| MLA | 陈猛,et al."低剂量SIMOX圆片研究".半导体学报 .08(2001). |
入库方式： OAI收割
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