低能As~+注入Si(100)产生缺陷的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 翁惠民 ; 黄千峰 ; 杜罡 ; 韩荣典 |
| 刊名 | 核技术
 |
| 出版日期 | 1998 |
| 期号 | 02 |
| ISSN号 | 0253-3219 |
| 中文摘要 | 介绍了用慢正电子束探针研究Ａａ＋以不同角度注入Ｓｉ（１００）产生的缺陷以及退火后缺陷清除效应的结果。用正电子的Ｄｏｐｐｌｅｒ展宽湮没技术对样品作无损检测，采用一维的扩散方程进行拟合，对缺陷分布求解，获得缺陷的各种信息。实验结果表明，１５°小角度注入产生的缺陷浓度比６０°注入的要大，而且两者的缺陷类型也不同；对于１５°注入产生的缺陷可用快速热退火很好地消除 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105680]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 翁惠民,黄千峰,杜罡,等. 低能As~+注入Si(100)产生缺陷的研究[J]. 核技术,1998(02). |
| APA | 翁惠民,黄千峰,杜罡,&韩荣典.(1998).低能As~+注入Si(100)产生缺陷的研究.核技术(02). |
| MLA | 翁惠民,et al."低能As~+注入Si(100)产生缺陷的研究".核技术 .02(1998). |
入库方式： OAI收割
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