低能离子注入的应用
文献类型：期刊论文
| 作者 | 关安民 ; 罗潮渭 ; 李钧 ; 石华君 ; 林成鲁 ; 夏冠群 |
| 刊名 | 电子学报
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| 出版日期 | 1996 |
| 期号 | 02 |
| ISSN号 | 03722112 |
| 中文摘要 | 集成电路的发展要求制备出超浅结或超薄有源层，以满足器件高密度和高速度的要求，低能离子注入是形成浅结的最有效手段，本文介绍了低能离子注入硅和ＧａＡｓ衬底中形成０．１μｍ以下的硅超浅结和ＧａＡｓ超薄有源层，以及它们在一－些器件上应用的结果。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105686]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 关安民,罗潮渭,李钧,等. 低能离子注入的应用[J]. 电子学报,1996(02). |
| APA | 关安民,罗潮渭,李钧,石华君,林成鲁,&夏冠群.(1996).低能离子注入的应用.电子学报(02). |
| MLA | 关安民,et al."低能离子注入的应用".电子学报 .02(1996). |
入库方式： OAI收割
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