电化学法测定Si多层结构材料浓度分布
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈自姚 ; 邵永富 ; 朱福英 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 1986 |
| 期号 | 05 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 本文报道在研究Si/EL电极过程基础上,将电化学C-V技术用于测定适合VLSI用的双极型晶体管多层结构材料的载流子浓度剖面分布. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105715]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈自姚,邵永富,朱福英. 电化学法测定Si多层结构材料浓度分布[J]. 半导体学报,1986(05). |
| APA | 陈自姚,邵永富,&朱福英.(1986).电化学法测定Si多层结构材料浓度分布.半导体学报(05). |
| MLA | 陈自姚,et al."电化学法测定Si多层结构材料浓度分布".半导体学报 .05(1986). |
入库方式： OAI收割
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