电化学合成聚噻吩结构的光谱和电子能谱表征
文献类型：期刊论文
| 作者 | 林贤 ; 吴仲墀 ; 王辉 ; 金曼娜 ; 钱彭伟 ; 宗祥福 |
| 刊名 | 功能材料
 |
| 出版日期 | 1993 |
| 期号 | 05 |
| 关键词 | K1 导电高分子 聚噻吩 极化子 双极化子 |
| ISSN号 | 1001-9731 |
| 其他题名 | T1 电化学合成聚噻吩结构的光谱和电子能谱表征 |
| 中文摘要 | 借助紫外-可见-近红外光谱,红外光谱,喇曼光谱等实验技术研究了电化学合成导电高分子聚噻吩(Polythiophene)材料在掺杂和非掺杂情况下的结构特征,说明了双极化子是这一类基态非简并的高分子的主要元激发。喇曼光谱和俄歇电子能谱还表征了掺杂离子在样品中的分布,掺杂离子处于高分子链的间隙中,且在深度分布上是均匀的。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105717]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林贤,吴仲墀,王辉,等. 电化学合成聚噻吩结构的光谱和电子能谱表征[J]. 功能材料,1993(05). |
| APA | 林贤,吴仲墀,王辉,金曼娜,钱彭伟,&宗祥福.(1993).电化学合成聚噻吩结构的光谱和电子能谱表征.功能材料(05). |
| MLA | 林贤,et al."电化学合成聚噻吩结构的光谱和电子能谱表征".功能材料 .05(1993). |
入库方式： OAI收割
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