电结晶制〔Co/Pt〕_n(n≥50)超晶格的研究
文献类型:期刊论文
作者 | 印仁和 ; 曹为民 ; 郭也平 ; 计慧芬 ; 周天键 ; 秦勇 ; 王葛亚 |
刊名 | 电化学
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出版日期 | 1997 |
期号 | 03 |
ISSN号 | 1006-3471 |
中文摘要 | 用电结晶法制取了〔Co(2.5nm)/Pt(2.5nm)〕n(n=50)超晶格.通过控制过电位以控制多层膜的生长.应用了具有高空间实分解能的反射电子显微镜法(REM)直接观察Pt(Ⅲ)面上的原子台阶以及在Pt(Ⅲ)上的Co的生长方式,发现在高过电位E=-1.15V(vs.Hg/Hg2SO4)下Co以三维生长方式成膜.用小角度X射线衍射法证实在Pt(Ⅲ)面上确实形成了人工超晶格,其周期d=5nm. |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2012-03-29 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105724] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 印仁和,曹为民,郭也平,等. 电结晶制〔Co/Pt〕_n(n≥50)超晶格的研究[J]. 电化学,1997(03). |
APA | 印仁和.,曹为民.,郭也平.,计慧芬.,周天键.,...&王葛亚.(1997).电结晶制〔Co/Pt〕_n(n≥50)超晶格的研究.电化学(03). |
MLA | 印仁和,et al."电结晶制〔Co/Pt〕_n(n≥50)超晶格的研究".电化学 .03(1997). |
入库方式: OAI收割
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