电解液－Si_3N_4绝缘体界面表面基／复合中心模型的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 牛蒙年 ; 丁辛芳 ; 童勤义 |
| 刊名 | 电子学报
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| 出版日期 | 1996 |
| 期号 | 11 |
| 关键词 | K1 表面基模型 Si_3N_4材料 复合中心理论 硅醇基／胺基比率 pH－ 关系 |
| ISSN号 | 0372-2112 |
| 其他题名 | T1 电解液－Si_3N_4绝缘体界面表面基／复合中心模型的研究 |
| 中文摘要 | 本文在表面基模型基础上，借用半导体物理中复合／产生概念，提出表面基／复合中心模型，并研究了含两种类型表面基的Ｓｉ３Ｎ４绝缘体及其两种表面基（硅醇基和胺基）的比率对Ｓｉ３Ｎ４栅ｐＨ－ＩＳＦＥＴ敏感性能和稳定性的影响，其结果与实验结果相符。对改善ｐＨ－ＩＳＦＥＴ传感器的敏感特性具有实际指导意义。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105725]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 牛蒙年,丁辛芳,童勤义. 电解液－Si_3N_4绝缘体界面表面基／复合中心模型的研究[J]. 电子学报,1996(11). |
| APA | 牛蒙年,丁辛芳,&童勤义.(1996).电解液－Si_3N_4绝缘体界面表面基／复合中心模型的研究.电子学报(11). |
| MLA | 牛蒙年,et al."电解液－Si_3N_4绝缘体界面表面基／复合中心模型的研究".电子学报 .11(1996). |
入库方式： OAI收割
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