电子顺磁共振“As_(Ga)”的光淬灭行为与EL2亚稳态机理
文献类型：期刊论文
| 作者 | 邹元燨 ; 汪光裕 |
| 刊名 | 物理学报
 |
| 出版日期 | 1988 |
| 期号 | 07 |
| ISSN号 | 1000-3290 |
| 中文摘要 | 根据Goltzene等人最近关于原生LEC,HB,压缩变形和中子辐照GaAs中电子顺磁共振(EPR)“As_(Ga)”谱低温光淬灭实验结果,结合Baraff和Schluter最近关于EL2亚稳态的理论计算,本文认为可进一步证实作者之一在1981年提出的EL2(As_(Ga)V_(As)V_(Ga))缺陷模型,同时还对Wager和Van Vechten最近提出的EL2(As_(Ga)V_(As)V_(Ga))的亚稳态机理加以评述和修正。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105739]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邹元燨,汪光裕. 电子顺磁共振“As_(Ga)”的光淬灭行为与EL2亚稳态机理[J]. 物理学报,1988(07). |
| APA | 邹元燨,&汪光裕.(1988).电子顺磁共振“As_(Ga)”的光淬灭行为与EL2亚稳态机理.物理学报(07). |
| MLA | 邹元燨,et al."电子顺磁共振“As_(Ga)”的光淬灭行为与EL2亚稳态机理".物理学报 .07(1988). |
入库方式： OAI收割
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