叠加能量Si~+、N~+共注入SiO_2薄膜的光致发光
文献类型：期刊论文
| 作者 | 赵俊 ; 杨根庆 ; 丁星肇 ; 林梓鑫 ; 江炳尧 ; 周祖尧 ; 柳襄怀 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
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| 出版日期 | 1998 |
| 期号 | 03 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 中文摘要 | 报道了用叠加能量Ｓｉ＋、Ｎ＋共注入ＳｉＯ２薄膜研究硅基发光材料。Ｓｉ＋、Ｎ＋先后注入ＳｉＯ２薄膜，并在衬底中重叠。样品退火后在紫外光激发下，可以观察到很强的紫外（～３４０ｎｍ）和紫色（～４２７ｎｍ）光致发光（ＰＬ）。还研究了光致发光激发（ＰＬＥ）谱并对发光机制进行了探讨。 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105745]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵俊,杨根庆,丁星肇,等. 叠加能量Si~+、N~+共注入SiO_2薄膜的光致发光[J]. 功能材料与器件学报,1998(03). |
| APA | 赵俊.,杨根庆.,丁星肇.,林梓鑫.,江炳尧.,...&柳襄怀.(1998).叠加能量Si~+、N~+共注入SiO_2薄膜的光致发光.功能材料与器件学报(03). |
| MLA | 赵俊,et al."叠加能量Si~+、N~+共注入SiO_2薄膜的光致发光".功能材料与器件学报 .03(1998). |
入库方式： OAI收割
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