反应离子刻蚀工艺中的充电效应
文献类型：期刊论文
| 作者 | 胡恒升 ; 张敏 |
| 刊名 | 电子学报
 |
| 出版日期 | 2000 |
| 期号 | 11 |
| ISSN号 | 0372-2112 |
| 中文摘要 | 本文阐述了反应离子刻蚀 (RIE)工艺过程中充电效应产生的机理 ,认为它是由等离子体分布的不均匀性引起的 ,推导了等离子体充电电流的表达式 .并根据等离子体充电前后Qbd值的差异计算了等离子体充电过程中的隧穿电流密度 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105813]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 胡恒升,张敏. 反应离子刻蚀工艺中的充电效应[J]. 电子学报,2000(11). |
| APA | 胡恒升,&张敏.(2000).反应离子刻蚀工艺中的充电效应.电子学报(11). |
| MLA | 胡恒升,et al."反应离子刻蚀工艺中的充电效应".电子学报 .11(2000). |
入库方式： OAI收割
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