反应离子深刻蚀硅的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 姜建东 ; 孙承龙 ; 王渭源 ; 王德宁 |
| 刊名 | 传感技术学报
 |
| 出版日期 | 1995 |
| 期号 | 03 |
| 关键词 | K1 反应离子刻蚀 各向异性深刻蚀 侧壁保护机制 刻蚀速率 |
| ISSN号 | 1004-1699 |
| 其他题名 | T1 反应离子深刻蚀硅的研究 |
| 中文摘要 | 利用SF_6/_C_2ClF_5,SF_6/CCl_2F_2,SF_6/CCL_2F_2/O_2等氟氯族混合气体,在普通的平板型反应离子刻蚀系统上,进行了反应离子深刻蚀硅的研究.在Cr膜的掩护下,SF_6/C_2ClF_5刻蚀硅的速率最快,但刻蚀的方向性差;SF_6/CCl_2F_2和SF_6/CCl_2F_2/O_2都可获得各向异性的刻蚀工艺,刻蚀速率在200~500nm/min之间.实验中,还测定了SF_6/CCl_2F_2刻蚀硅的速率与射频功率密度和反应室气体压强的关系曲线;并讨论了各向异性的物理机 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105815]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 姜建东,孙承龙,王渭源,等. 反应离子深刻蚀硅的研究[J]. 传感技术学报,1995(03). |
| APA | 姜建东,孙承龙,王渭源,&王德宁.(1995).反应离子深刻蚀硅的研究.传感技术学报(03). |
| MLA | 姜建东,et al."反应离子深刻蚀硅的研究".传感技术学报 .03(1995). |
入库方式： OAI收割
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