反应离子束刻蚀二氧化硅和硅研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 傅新定 ; 陈国明 ; 任琮欣 ; 郑廷芳 ; 陈莉芝 ; 方红丽 ; 杨洁 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 1985 |
| 期号 | 04 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 应用CF_4、C_4F_8、CF_3I等反应气体SiO_2、单晶硅进行刻蚀研究.研究了刻蚀速率与离子能量、束流密度、入射角的关系、所得 SiO_2对单晶硅刻蚀选择比分别为 9:1(CF_4)、15:1(C_4F_8).刻蚀后,观察到表面有微量氟碳聚合物,但可用适当方法将氟碳沾污物予以消除.实验表明,C_4F_8反应气体是用于刻蚀SiO_2-Si 系统的较好气体,而CF_3I气体则否. 本文主要报道应用CF_4、C_4F_8在反应离子束刻蚀、镀膜装置(RIBC)中刻蚀SiO_2和Si的实验结果. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105817]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 傅新定,陈国明,任琮欣,等. 反应离子束刻蚀二氧化硅和硅研究[J]. 半导体学报,1985(04). |
| APA | 傅新定.,陈国明.,任琮欣.,郑廷芳.,陈莉芝.,...&杨洁.(1985).反应离子束刻蚀二氧化硅和硅研究.半导体学报(04). |
| MLA | 傅新定,et al."反应离子束刻蚀二氧化硅和硅研究".半导体学报 .04(1985). |
入库方式： OAI收割
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