反应离子束刻蚀闪耀光栅技术
文献类型：期刊论文
| 作者 | 傅新定 ; 方红丽 ; 陈国明 ; 邹世昌 |
| 刊名 | 应用科学学报
 |
| 出版日期 | 1989 |
| 期号 | 03 |
| ISSN号 | 0255-8297 |
| 中文摘要 | <正>一、引言反应离子束刻蚀是在离子束刻蚀基础上发展起来的具有广泛应用前景的微细加工技术.近年来,已被用来制作全息闪耀光栅.二、实用全息闪耀光栅反应离子束刻蚀全息闪耀光栅制造工艺请参阅文献[2],在石英基板上涂美国Shipley公司AZ1350胶的感光灵敏度峰值为260nm处,并随波长增长而感光灵敏度降低.现有氦镉激光器产生的441.6nm波长或氩离子激光器产生的457.9nm波长均可使用,但较理想的是325nm或更短的接近峰值波长.刻蚀装置采用冶金所自制的反应离子束刻蚀镀膜装置.选择合适的刻蚀工艺参数, |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105818]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 傅新定,方红丽,陈国明,等. 反应离子束刻蚀闪耀光栅技术[J]. 应用科学学报,1989(03). |
| APA | 傅新定,方红丽,陈国明,&邹世昌.(1989).反应离子束刻蚀闪耀光栅技术.应用科学学报(03). |
| MLA | 傅新定,et al."反应离子束刻蚀闪耀光栅技术".应用科学学报 .03(1989). |
入库方式： OAI收割
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