非掺半绝缘GaAs单晶的垂直梯度凝固生长
文献类型：期刊论文
| 作者 | 赵福川 ; 谈惠祖 ; 杜立新 ; 莫培根 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
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| 出版日期 | 2000 |
| 期号 | 02 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 中文摘要 | 研究了非掺GaAs半绝缘单晶的液封垂直梯度凝固法(VGF)生长技术,解决了Si沾污和C浓度的控制问题,得到了直径2英寸非掺半绝缘低位错单晶。测试表明:该单晶的位错密度较LEC单晶下降近一个数量级,电学参数与LEC单晶类似,接近国外VGF单晶的参数指标。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105822]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵福川,谈惠祖,杜立新,等. 非掺半绝缘GaAs单晶的垂直梯度凝固生长[J]. 功能材料与器件学报,2000(02). |
| APA | 赵福川,谈惠祖,杜立新,&莫培根.(2000).非掺半绝缘GaAs单晶的垂直梯度凝固生长.功能材料与器件学报(02). |
| MLA | 赵福川,et al."非掺半绝缘GaAs单晶的垂直梯度凝固生长".功能材料与器件学报 .02(2000). |
入库方式： OAI收割
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