非掺半绝缘GaAs晶体中位错作用的初步研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 莫培根 ; 吴巨 ; 李寿春 ; 詹千宝 ; 杨金华 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1986 |
| 期号 | 05 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | <正> 由于GaAs高速集成电路的发展,非掺半绝缘GaAs晶体受到很大的重视.高压LEC法生长的圆形大直径衬底,并与直接离子注入技术相结合,已普遍认为是制备IC的可行技术.目前,从富砷熔体的高压LEC/PBN法生长热稳定性良好的半绝缘晶体的工艺,已日趋成熟.晶体生长的研究重点已逐渐转移至完整性和均匀性方面.因此,我们在研 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105823]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 莫培根,吴巨,李寿春,等. 非掺半绝缘GaAs晶体中位错作用的初步研究[J]. 半导体学报,1986(05). |
| APA | 莫培根,吴巨,李寿春,詹千宝,&杨金华.(1986).非掺半绝缘GaAs晶体中位错作用的初步研究.半导体学报(05). |
| MLA | 莫培根,et al."非掺半绝缘GaAs晶体中位错作用的初步研究".半导体学报 .05(1986). |
入库方式： OAI收割
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